Imen ZOUAINIA (2019) Etude des Propriétés Structurales des Nanoparticules de GaN Implantées dans SiO2/Si pour des Applications Optoélectroniques. Université de Souk Ahras
Scientific Publications
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Abstract
Ce travail de recherche implique la simulation des spectres expérimentaux RBS «Rutherford Backscattering Spectrometry», des nanoparticules de GaN implantées dans la matrice SiO2/Si et l’étude de leurs propriétés structurales qui leur permettent d’être prometteuses pour des applications optoélectroniques.
Les calculs de simulation ont montré un bon accord avec les spectres expérimentaux RBS et nous ont permis de connaître l’épaisseur réelle de la couche de SiO2, l’épaisseur de la couche décapée et la dose des NPs GaN implantées dans la matrice SiO2/Si.
Pour les nanoparticules implantées dans la matrice SiO2/Si, qui ont subis un traitement thermique, les résultats de simulation ont également montré un bon accord avec leurs spectres expérimentaux RBS. En revanche, une perte progressive très considérable de la matière allant jusqu’à 58%, a été remarquée pour un traitement thermique de 1100°C/30 min.
L’hypothèse d’optimisation de la perte en matière de gallium, en utilisant des températures de recuit moins élevées mais avec des temps plus longs, a été confirmée pour l’échantillon qui a subis un traitement isotherme à 900°C/30 min.
L’étude microstructurale par microscopie électronique en transmission « MET », effectuée sur les échantillons traités thermiquement, a confirmé la distribution homogène des NPs GaN implantées dans la matrice SiO2/Si. Une dispersion uniforme des NPs GaN a été remarquée avec des tailles différentes dont la majorité est inférieure à 5 nm. A haute résolution, les micrographies MET ont montré une structure cubique des NPs GaN implantées dans la matrice SiO2/Si, selon le fichier JCPDS N° 88-2212 dont le groupe d’espace symétrique est Fm3m (225).
Les résultats de la microscopie électronique en transmission nous ont encouragés à faire des mesures de photoluminescence et de stockage de charges électriques pour des applications photovoltaïques.
Mots Clés : Nanoparticules de GaN ; Implantation ionique ; Méthode RBS; Simulation ; Code RUMP.
Les calculs de simulation ont montré un bon accord avec les spectres expérimentaux RBS et nous ont permis de connaître l’épaisseur réelle de la couche de SiO2, l’épaisseur de la couche décapée et la dose des NPs GaN implantées dans la matrice SiO2/Si.
Pour les nanoparticules implantées dans la matrice SiO2/Si, qui ont subis un traitement thermique, les résultats de simulation ont également montré un bon accord avec leurs spectres expérimentaux RBS. En revanche, une perte progressive très considérable de la matière allant jusqu’à 58%, a été remarquée pour un traitement thermique de 1100°C/30 min.
L’hypothèse d’optimisation de la perte en matière de gallium, en utilisant des températures de recuit moins élevées mais avec des temps plus longs, a été confirmée pour l’échantillon qui a subis un traitement isotherme à 900°C/30 min.
L’étude microstructurale par microscopie électronique en transmission « MET », effectuée sur les échantillons traités thermiquement, a confirmé la distribution homogène des NPs GaN implantées dans la matrice SiO2/Si. Une dispersion uniforme des NPs GaN a été remarquée avec des tailles différentes dont la majorité est inférieure à 5 nm. A haute résolution, les micrographies MET ont montré une structure cubique des NPs GaN implantées dans la matrice SiO2/Si, selon le fichier JCPDS N° 88-2212 dont le groupe d’espace symétrique est Fm3m (225).
Les résultats de la microscopie électronique en transmission nous ont encouragés à faire des mesures de photoluminescence et de stockage de charges électriques pour des applications photovoltaïques.
Mots Clés : Nanoparticules de GaN ; Implantation ionique ; Méthode RBS; Simulation ; Code RUMP.
Information
| Item Type | Master |
|---|---|
| Divisions | |
| ePrint ID | 3948 |
| Date Deposited | 2023-05-17 |
| Further Information | Google Scholar |
| URI | https://univ-soukahras.dz/en/publication/article/3948 |