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Abstract

Le travail présenté dans cette mémoire est une contribution à l\'étude des relations physico-chimiques entre
les surfaces des corps solides semi-conducteurs et les gaz environnants. La régénération de ces surfaces et
les processus réversibles d\'adsorption de gaz sont parmi les problèmes les plus importants qui ont ouvert la
voie à de nombreux chercheurs pour développer des modèles et des méthodes de les résoudre. La méthode
de désorption programmée en température (DPT) est considérée comme l\'une des méthodes les plus
importantes pour régénéré les surfaces solides après adsorption de gaz et déterminer les énergies et les
espèces ionosorbées. Les centres d’adsorption caractérisés par la dualité (énergie W, fréquence υ)
représentent expérimentalement, le changement de pente de la courbe de désorption programmée en
température qui définissent par des points d\'inflexion ou de la réponse de surface à la température S(1/T).
Les résultats des travaux de cette mémoire sont une synthèse de l\'étude de la simulation entre courbes
expérimentales et courbes théoriques en utilisant deux programmes : Programme GetData graph
Digitizer et Programme Origine pro 2018- 64bit , qui ce a donné une correspondance importante entre
les courbes expérimentales et théoriques et déduisant ainsi les constantes de la simulation représentées les
énergies et fréquences des centres d\'adsorption.
Mots Clé : semi-conducteur, surfaces, adsorption, désorption, gaz, résistance électrique


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