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Abstract

Nous avons représenté un nanotransistor CNTFET. Le transistor a une structure symétrique de bande d\'énergie entre la bande de conduction et la bande de valence ce qui implique une adaptation des contributions des électrons et des trous dans le transport du courant entre les électrodes de drain et de source. Le principe de fonctionnement du CNTET est de polariser sévèrement la grille positivement ou négativement pour faciliter le transport des électrons ou des trous. Nous avons vu que la largeur et la longueur du canal ont une influence directe sur les propriétés de transport, où les meilleures performances ont été observées pour les plus grandes largeurs et les plus petites longueurs.
Nous avons également observé un effet direct de l\'épaisseur de l\'oxyde de grille et de la constante diélectrique sur les caractéristiques du CNTFET où Ids s\'est avéré plus grand pour la couche d\'oxyde la plus mince et la permittivité diélectrique la plus élevée. Ces résultats obtenus nous permettent d\'optimiser les paramètres physiques du CNTFET pour viser les meilleures performances du nanodispositif.
Mots clé :CNT , CNTFET, simulations .

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